avx鉭電容的縮寫(xiě)簡(jiǎn)稱(chēng)，是可以以其創(chuàng )造性命名的半導體器材。avx鉭電容管是低功耗、年夜電流、超下速半導體器材，它沒(méi)有是操作P型半導體取N型半導體構成PN結道理建造的，而是操作金屬取半導體交兵構成的金屬-半導體結道理建造的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬-半導體在兩極管或表面勢壘兩極管，它是一種熱載流子兩極管。avx鉭電容管的反背光復工夫極短（可以小到幾納秒），正導游通壓降僅0.4V尊下，而整流電流卻可抵達幾千毫安。

avx鉭電容兩極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為背極，操作兩者交兵里上構成的勢壘具有整流特征而造成的金屬-半導體器材。由于N型半導體中存正在著(zhù)大批的電子，貴金屬中唯一少少數的自在電子，所以電子便從濃度下的B中背濃度低的A中渙散。明顯，金屬A中出有空穴，也便沒(méi)有存正在空穴自A背B的渙散活動(dòng)。